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NVBG050N170M1

Name: onsemi NVBG050N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG050N170M1
Price: 18.21 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NVBG050N170M1

N° de fab. :

NVBG050N170M1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC 1700V M1 52MO D2PAK-7

Cycle de vie:

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Fiche technique:

NVBG050N170M1 Fiche technique

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	18,21 €	18,21 €
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	13,17 €	1 317,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	76 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	107 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	385 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	13 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	22 ns
Série:	NVBG050N170M1
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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Fiche technique

NVBG050N170M1 Fiche technique

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-1-5 (PDF)

ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

Le MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1 d'onsemi fait partie de la famille de MOSFET SiC planaires M1 1 700 V optimisée pour les applications à commutation rapide. Ce MOSFET dispose d'une résistance maximale R_DS(ON) de 76 mΩ à 20 V, d'une tension de drain à source de 1 700 V, d'un courant de drain continu de 50 A et d'une charge de grille ultra-faible (Q_G(tot) standard = 107 nC). Le MOSFET SiC NVBG050N170M1 fonctionne avec une capacité de sortie efficace faible (C_oss standard = 97 pF) et une tension de grille à source de -15 V/+25 V. Ce MOSFET SiC est testé en avalanche à 100 % et est disponible dans un boîtier D2PAK-7L. Le MOSFET SiC NVBG050N170M1 est conforme à la directive RoHS sans plomb, sans halogène et exempté de la directive RoHS (catégorie 7a). Les applications standard incluent les convertisseurs Flyback, les convertisseurs CC-CC automobiles pour véhicules électriques/véhicules hybrides et les chargeurs carte automobiles (OBC).