MOSFET SiC 1 200 V

Les MOSFET au carbure de silicium (SIC) 1200 V NexperStrip  sont logés dans TO-247-3 à 3 broches et TO-247-4 à 4 broches pour un montage PCB traversant. Les MOSFET Nexperia sont idéaux pour les applications industrielles à haute puissance et haute tension grâce à une excellente stabilité de la température et une vitesse de commutation rapide. Ces applications comprennent les infrastructures de charge de véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les entraînements de moteurs.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia SiC MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
Fiche technique
255En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
Fiche technique
227En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
Fiche technique
15En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement