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TM3B0020120A

Name: Coherent TM3B0020120A
Brand: Coherent
SKU: 508-TM3B0020120
Price: 35.99 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

508-TM3B0020120

N° de fab. :

TM3B0020120A

Fab. :

Coherent

Description :

SiC MOSFET 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Fiche technique:

TM3B0020120A Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	35,99 €	35,99 €
	31,27 €	312,70 €
	27,35 €	3 282,00 €
1 020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Coherent
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	115 A
Rds On - Résistance drain-source:	24.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.8 V
Qg - Charge de grille:	172 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	660 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Coherent
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	30 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	39 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	17 ns

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Fiche technique

TM3B0020120A Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low R_DS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.