HEMT GaN GNP2x 650 V en mode d’amélioration

Les HEMT GaN GNP2x de 650 V ROHM Semiconductor en mode amélioré sont conçus pour des applications de conversion d’énergie électrique haute performance. Ces transistors à haute mobilité électronique (HEMT) sont dotés d’une tension de rupture élevée et d’une faible charge de grille. Le HEMT GaN GNP2x propose une densité de haute efficacité, haute puissance et des capacités de commutation rapides. Ces HEMT GaN sont dotés d’une tension grille-source transitoire de 8,5 V et fonctionnent dans la plage de température de -55 °C à 150 °C.  Les applications typiques incluent des convertisseurs à haute fréquence de commutation et haute densité.