MOSFET en carbure de silicium (SiC) NVBG030N120M3S
Le MOSFET NVBG030N120M3S au carbure de silicium (SiC) onsemi est un MOSFET planaire EliteSiC de 1 200 V optimisé pour les applications de commutations rapides. Ce MOSFET présente une charge de grille ultra-basse de 107 nC, une commutation de 106 pF à haute vitesse et à basse capacité et 29 mΩ de résistance standard entre drain et source à l'état passant (ON) sous VGS= 18 V. Le MOSFET NVBG030N120M3S au SiC présente des performances optimales lorsqu'il est piloté par une grille de 18 V, mais fonctionne également très bien avec une grille de 15 V. Ce MOSFET est testé à 100 % en avalanche, a reçu la qualification AEC-Q101 et présente une compatibilité PHPP. Le MOSFET NVBG030N120M3S est proposé dans un boîtier D2PAK-7L pour une faible inductance commune de source et est sans plomb sur 2LI (sur l'interconnexion de deuxième niveau) et conforme à la directive RoHS (avec exemption 7a). Les applications typiques comprennent les chargeurs automobiles embarqués et les convertisseurs CC/CC pour VE/VEH.
