FET GaN eMode

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Résultats: 12
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia FET GaN GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Fiche technique
1 976En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Fiche technique
1 945En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Fiche technique
1 904En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Fiche technique
1 976En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Fiche technique
2 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8074 650V 17A FET
Fiche technique
2 060En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8075 650V 17A FET
Fiche technique
1 728En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8072 100V 60A FET
Fiche technique
1 705En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8073 150V 28A FET
Fiche technique
4 698En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8074 650V 29A FET
Fiche technique
286En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8074 650V 11.5A FET
Fiche technique
720En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET GaN SOT8075 650V 11.5A FET
Fiche technique
2 48309/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement