MOSFET de puissance monocanal N NVMFS3D6N10MCL

Le MOSFET de puissance à canal N NVMFS3D6N10MCL onsemi est conçu pour des conceptions compactes et efficaces avec des performances thermiques élevées. Ce MOSFET dispose d'une faible résistance drain-source (RDS(on)) pour minimiser les pertes en conduction, une QGet une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilotes. Le MOSFET NVMFS3D6N10MCL est certifié AEC-Q101 et compatible PHPP. Ce MOSFET onsemi est fourni dans un petit boîtier DFN5 à fil plat avec des dimensions de 5 mm x 6 mm. Les applications typiques comprennent les systèmes 48 V, les alimentations à commutation, les commutateurs d'alimentation (pilote côté haut, pilote côté bas et ponts en H) et la protection d'inversion de la batterie.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
onsemi MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET 2 616En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET 3 056En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 60 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel