Modules de puissance de haute densité au SiC

Les Modules de puissance de Haute densité au carbure de silicium (SiC) de ROHM Semiconductor sont conçus pour prendre en charge une conversion de puissance à haut rendement dans l'automobile et dans d'autres applications industrielles. La gamme comprend plusieurs plateformes de boîtiers telles que TRCDRIVE pack™, HSDIP20 et DOT-247, chacune étant optimisée pour différentes classes de puissance et pour diverses exigences de systèmes. Ces boîtiers intègrent des MOSFET au SiC en structures de modules compacts, qui permettent une haute densité de puissance et une gestion thermique efficace. Selon le boîtier, des configurations telles que 2 en 1, 4 en 1 et 6 en 1 sont possibles, ce qui offre de la flexibilité pour une large gamme de conversion de puissance et d'applications d'entraînement de moteurs.

Résultats: 6
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Conditionnement
ROHM Semiconductor Modules MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
Fiche technique
8008/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Fiche technique
6008/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
Fiche technique
22528/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube