ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
BST400D12P4A101 et BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ de ROHM Semiconductor à Modules 2 en 1 moulés au SiC présentent une tension nominale de 1 200 V en boîtier compact, avec des dimensions de 41,6 × 52,5 mm. Ces modules intègrent des MOSFET au SiC de 4e génération, pour une conception compacte qui réduit considérablement la taille des convertisseurs de véhicules électriques (xEV). Les modules BST400D12P4A101 et BST400D12P4A111 de ROHM Semiconductor prennent en charge jusqu'à 300 kW et présentent une configuration terminale, conçue pour répondre aux défis critiques des convertisseurs de traction en matière de miniaturisation, de rendement accru et de réduction du nombre d'heures de travail. Ces modules ne nécessitent pas de soudage pour les terminaux de signal, ce qui permet une certaine facilité d'utilisation pour les concepteurs.Caractéristiques
- La combinaison de broches à sertir et de technologie de moulage entraîne une conception réduite
- Densité de haute puissance, due à une dissipation supérieure de chaleur et à une moindre inductance parasite
- Facilité d’utilisation, notamment absence de soudage pour les terminaux de signaux
- Système de production de boîtiers discrets, pour une productivité élevée
- Conçu pour des convertisseurs de traction automobile
- Qualifié AQG 324
Caractéristiques techniques
- Tension maximale de 1 200 VDSS
- Courant continu maximal de 394 A
- Courant alternatif maximal
- BST400D12P4A101 : 326 A
- BST400D12P4A111 : 336 A
- RDS(on) maximale de 2,8 mΩ
- Dissipateur thermique
- BST400D12P4A101 : TIM : feuille de dissipation thermique
- BST400D12P4A111 : argent (Ag) aggloméré
- Dimensions : 41,6 mm × 52,5 mm
Ensemble TRCDRIVE
Conception compacte
Publié le: 2024-06-19
| Mis à jour le: 2026-03-17
