Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

Les transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A de Qorvo sont des transistors discrets au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité électronique (HEMT GaN sur SiC), 25 W (P_3dB), avec une adaptation d’entrée de 50 Ω, fonctionnant de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation 50 V. Un réseau d'adaptation d'entrée intégré permet un gain de large bande et des performances de puissance, tandis que la sortie peut être adaptée sur la carte pour optimiser la puissance et l'efficacité pour n'importe quelle région de la bande. Les transistors QPD1004A de Qorvo sont parfaitement adaptés aux stations de base, aux applications radar et de communication, et prennent en charge les modes de fonctionnement à onde continue (CW) et à impulsion. Ces dispositifs sont logés dans un boîtier DFN à montage en surface de 6 mm x 5 mm x 0,85 mm conforme aux normes de l'industrie.