FET SiC Gen 4 750 V UJ4C/SC

Les FET SiC Gen 4 UJ4C/SC de 750 V de Qorvo sont des séries hautes performances qui offrent les meilleurs chiffres de mérite de l’industrie qui réduisent les pertes de conduction et augmentent le rendement à plus haut débit, améliorant ainsi la rentabilité globale. Disponible en options de 5,4 mΩ à 60 mΩ, la série Gen 4 est basée sur une configuration en cascade unique, où un JFET SiC haute performance est co-emballé avec un Si-MOSFET optimisé en cascade pour produire un dispositif SiC pilote de grille standard. Les caractéristiques standard du pilote de grille des FET UJ4C/SC 750 V permettent une fonctionnalité de « remplacement direct ». Les Concepteurs peuvent améliorer considérablement les performances du système sans modifier la tension d’entraînement de grille en remplaçant les IGBT Si, les FET Si, les FET SiC ou les dispositifs à super-jonction Si existants par les FET UJ4C/SC de Qorvo.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
57709/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-4 Délai de livraison produit non stocké 31 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/10MOSICFETG4TOLL Délai de livraison produit non stocké 28 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET UJ4SC075010L8S Non stocké

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET