Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

Les transistors basés sur la technologie GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d'électrons (HEMT), au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC), 15 W (P_3dB), avec adaptation d’entrée 50 Ω, qui fonctionnent de 30 MHz à 1,2 GHz sur un rail d’alimentation de 50 V. Un réseau d'adaptation d'entrée intégré permet un gain de large bande et des performances de puissance, tandis que la sortie peut être adaptée sur la carte pour optimiser la puissance et le rendement pour n'importe quelle région de la bande. Les transistors QPD1014A de Qorvo sont logés dans un boîtier SMT sans plomb de 6 mm x 5 mm x 0,85 mm qui permet d’économiser de l’espace dans les radios portables déjà limitées en termes d’espace.