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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SGT350R70GTK

N° de fab. :

SGT350R70GTK

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT350R70GTK Fiche technique (PDF)

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,24 €	2,24 €
	1,44 €	14,40 €
	1,03 €	103,00 €
	0,869 €	434,50 €
	0,82 €	820,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,702 €	1 755,00 €
	0,697 €	3 485,00 €
	0,68 €	6 800,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	350 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	1.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	47 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	6.1 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	3.5 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	1.2 ns
Délai d'activation standard:	0.9 ns
Poids de l''unité:	300 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT350R70GTK de STMicroelectronics est un transistor PowerGaN haute performance en mode d’amélioration, optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes. Avec une tension nominale drain-source de 700 V et une résistance en état de fonctionnement maximale de 350 mΩ, le dispositif SGT350R70GTK de STMicroelectronics offre de faibles pertes de conduction et des capacités de commutation rapides grâce à la technologie à base de nitrure de gallium (GaN). Conditionné dans un format DPAK thermiquement amélioré, le dispositif prend en charge une gestion de courant élevé et une dissipation thermique améliorée, adapté aux conceptions d’alimentation haute densité. Une faible capacité de sortie et decharge de grille permet une exploitation à haute fréquence, idéale pour une utilisation dans une correction du facteur de puissance (PFC), des convertisseurs résonnants et d’autres topologies d’alimentation avancées dans les secteurs industriels, des télécommunications et des consommateurs électroniques.