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NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 31.8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L028N170M1

N° de fab. :

NTH4L028N170M1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

Fiche technique:

NTH4L028N170M1 Fiche technique

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Délai usine :: 18

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	31,80 €	31,80 €
	23,62 €	236,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	81 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	200 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	535 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	31 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	18 ns
Série:	NTH4L028N170M1
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	121 ns
Délai d'activation standard:	47 ns

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Fiche technique

NTH4L028N170M1 Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1 d'onsemi disposent d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1 d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

MOSFET EliteSiC 1 700 V NTH4L028N170M1

Le MOSFET EliteSiC 1 700 V NTH4L028N170M1 d'onsemi fournit des performances fiables à haut rendement pour les infrastructures énergétiques et les applications d'entraînement industriel. Le MOSFET EliteSiC d'onsemi est doté d'une technologie planaire qui fonctionne de manière fiable avec des commandes de tension de grille négative et élimine les pics sur la grille. Cet appareil a des performances optimales lorsqu'il est piloté par une commande de grille de 20 V, mais fonctionne également sans problème avec une commande de grille de 18 V.

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.