CI d’étage de puissance GaN HEMT Nano Cap™ 650 V
Les CI d’étage de puissance HEMT au GaN Nano Cap™ de 650 V de ROHM Semiconductor sont conçus pour les systèmes électroniques exigeants. Ces CI offrent un mélange de densité de puissance et de rendement élevés. Les dispositifs intègrent un HEMT GaN amélioré de 650 V et un pilote en silicium. Les circuits intégrés d'étage de puissance HEMT GaN Nano Cap 650 V de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications qui incluent les équipements industriels, les alimentations électriques, la topologie de pont et les adaptateurs.
