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TGF3015-SM

Name: Qorvo TGF3015-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3015-SM
Price: 93.04 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

772-TGF3015-SM

N° de fab. :

TGF3015-SM

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

Fiche technique:

TGF3015-SM Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	93,04 €	93,04 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-EP-16
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	32 V
Id - Courant continu de fuite:	557 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	15.3 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Kit de développement:	TGF3015-SM-EVB1
Gain:	17.1 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	30 MHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	11 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	TGF3015
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 2.7 V
Raccourcis pour l'article N°:	TGF3015 1120419
Poids de l''unité:	6,745 g

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Fiche technique

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

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