Transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V d'Infineon Technologies sont des transistors de puissance GaN-sur-Si à mode d'enrichissement avec des propriétés qui permettent une haute tension de claquage, un courant élevé et une haute fréquence de commutation. Les systèmes GaN innovent grâce à des avancées à la pointe du secteur, telles que la disposition de cellules brevetée Island Technology®, qui permet d'obtenir des puces à courant élevé et un rendement élevé. Ces transistors de puissance CoolGaN 700 V permettent des conceptions à densité ultra-puissante et un haut rendement du système en commutation de puissance. Les transistors de puissance GS-065 sont logés dans un boîtier PDFN refroidi côté inférieur. Ces transistors de puissance offrent une très faible résistance thermique de jonction à boîtier, ce qui les rend idéaux pour les applications à haute puissance exigeantes. Certaines des applications incluent les solutions pour centres de données et informatiques, les adaptateurs d'alimentation, les pilotes d'éclairage LED, les alimentations à découpage (SMPS), la transmission d'énergie sans fil et les entraînements à moteur.

Résultats: 7
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Mode canal
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 297En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 287En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 88En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 124En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS
74426/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS
24908/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS Délai de livraison 18 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement