GANB4R8-040CBAZ

Nexperia
771-GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ

Fab. :

Description :
FET GaN GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Modèle de ECAO:
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En stock: 4 664

Stock:
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Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,49 € 2,49 €
1,62 € 16,20 €
1,58 € 79,00 €
1,12 € 112,00 €
0,929 € 464,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,903 € 2 257,50 €
0,783 € 3 915,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-22
N-Channel
1 Channel
20 A
- 6 V, + 6 V
15.8 nC
- 40 C
+ 125 C
13 W
Enhancement
Marque: Nexperia
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Raccourcis pour l'article N°: 934667630341
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA

Le FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA de Nexperia est un transistor à haute mobilité électronique en nitrure de gallium (GaN) bi-directionnel de 40 V, 4,8 mΩ. Le GANB4R8-040CBA est un FET émode normalement éteint qui offre des performances supérieures. Le GANB4R8-040CBA de Nexperia est disponible dans un boîtier WLCSP (Wafer-Level puce Scale).