FET SuperGaN® 650 V TP65H035G4YS

Le transistor à effet de champ (FET) SuperGaN® 650 V TP65H035G4YS de Renesas Electronics est un FET en nitrure de gallium (GaN) de 35 mΩ disponible dans un boîtier TO-247 à quatre broches. Ce dispositif normalement hors tension utilise la plateforme Gen IV de Renesas Electronics et combine un HEMT GaN haute tension avec un MOSFET en silicium basse tension, ce qui se traduit par une fiabilité et des performances supérieures. La plateforme SuperGaN Gen IV utilise des technologies de conception epi avancées et brevetées pour simplifier la fabricabilité. La plateforme améliore également l'efficacité par rapport au silicium grâce à une charge de grille, une perte de croisement, une capacité de sortie et une charge de récupération inverse réduites. Ce dispositif SuperGaN TP65H035G4YS à quatre harmoniques peut être utilisé en tant qu'option de conception originale ou comme remplacement direct pour les solutions à quatre harmoniques en silicium et SiC prenant en charge les alimentations électriques de 1 kW et plus. Les applications idéales pour le FET SuperGaN de 650 V de Renesas Electronics incluent les convertisseurs de datacom, industriels, photovoltaïques et les servomoteurs.