CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Texas Instruments MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
Fiche technique
14 268En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 23.9 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
Fiche technique
17 112En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 19.9 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel