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QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1229.2 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

772-QPD1016L

N° de fab. :

QPD1016L

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Fiche technique:

QPD1016L Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1 229,20 €	1 229,20 €
	1 092,41 €	10 924,10 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	NI-780
Polarité du transistor:	P-Channel
Id - Courant continu de fuite:	1 A
Pd - Dissipation d’énergie :	714 W
Marque:	Qorvo
Gain:	18 dB
Tension drain-porte max.:	50 V
Fréquence de fonctionnement max.:	1.7 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	537 W
Conditionnement:	Waffle
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1016L
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor RF au GaN QPD1016L

Le transistor QPD1016L GaN RF de Quorvo est un transistor de 500 W (P3dB) discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC) fonctionnant avec du courant continu à 1,7 GHz. Le QPD1016L fournit un gain linéaire de 18 dB à 1,3 GHz et dispose d'un rendement de drain de 67 % à 3 dB de compression. Le dispositif peut prendre en charge les opérations linéaires et pulsées.