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CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 518.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGHV40200PP

N° de fab. :

CGHV40200PP

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Fiche technique:

CGHV40200PP Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440199
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	8.7 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	166 W
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Kit de développement:	CGHV40200PP-AMP1
Gain:	16.1 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	1.9 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.7 GHz
Alimentation en sortie:	250 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V

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Fiche technique

CGHV40200PP Fiche technique (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.