MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [RDS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (ID) et de source (IS) (TC=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
Fiche technique
402En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Fiche technique
2 008En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
Fiche technique
635En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
Fiche technique
375En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Fiche technique
1 946En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 120A SIC
Fiche technique
1 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC
Fiche technique
500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Fiche technique
430En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
Fiche technique
700En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 26A SIC
Fiche technique
784En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 61A SIC
Fiche technique
100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Fiche technique
1 460En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Fiche technique
3 032En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
Fiche technique
615En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC
Fiche technique
344En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Fiche technique
588En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Fiche technique
321En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC
Fiche technique
8En stock
2 00017/07/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 46A SIC
Fiche technique
2 00016/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100
Bobine: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Fiche technique
45014/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Fiche technique
45014/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
Fiche technique
1 00014/05/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100
Bobine: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement