QPD0007TR13

Qorvo
772-QPD0007TR13
QPD0007TR13

Fab. :

Description :
FET GaN 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN Single Channel

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Disponibilité

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Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine.
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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape
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Prix:
24,86 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Qorvo
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
Marque: Qorvo
Conditionnement: Reel
Type de produit: GaN FETs
Série: QPD0007
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Raccourcis pour l'article N°: QPD0007
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
USHTS:
8541497080
ECCN:
5A991.b
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors RF au nitrure de gallium (GaN) QPD0007

Les transistors RF au GaN QPD0007 de Qorvo sont des transistors discrets à simple voie au GaN sur SiC à haute mobilité d’électrons (HEMT) dans un boîtier DFN.  Ces transistors RF de Qorvo sont des transistors à un seul étage, sans correspondance, capables de délivrer une puissance de sortie P3dB de 20 W en fonctionnement +48 V. Les transistors QPD0007 fonctionnent sur la plage de fréquence du CC à 5 GHz et offrent un rendement de drain de 73 % à 3,5 GHz.  Les applications standard incluent les WCDMA/LTE, les stations de base des macrocellules, les stations de base des microcellules, les applications générales, les petites cellules, les antennes actives et les MIMO massifs 5G.