Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.71 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SGT65R65AL

N° de fab. :

SGT65R65AL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Complétez votre conception

Fiche technique:

SGT65R65AL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics SGT65R65AL

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 52 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 3000 Multiples : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	4,71 €	14 130,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	+ 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	5.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	305 W
Marque:	STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Type de transistor:	E-Mode
Type:	RF Power MOSFET
Poids de l''unité:	76 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SGT65R65AL Fiche technique (PDF)

Application Notes

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL

Les transistorsPowerGaN e-mode SGT65R65AL de STMicroelectronics sont des transistors de 650 V, 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie. Le SGT65R65AL de STMicroelectronics dispose d'un dispositif G-HEMT résultant qui fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation avec commutation ultra-rapide. Le dispositif peut permettre une densité de puissance élevée et des performances imbattables en matière d'efficacité.

Transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN

Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics sont des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) hauteperformance, à enrichissement (normalement désactivés) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes par conduction et une densité de puissance élevée pour les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de recouvrement inverse nulle, offrant ainsi une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance en silicium traditionnels.