TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

Résultats: 5
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Package/Boîte
Polarité du transistor
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Fiche technique
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Min. : 100
Mult. : 100

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Fiche technique
Commentaire Produit
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Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Fiche technique
Commentaire Produit
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Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel