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NTBG060N065SC1

Name: onsemi NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG060N065SC1
Price: 10.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBG060N065SC1

N° de fab. :

NTBG060N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

Fiche technique:

NTBG060N065SC1 Fiche technique

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,55 €	10,55 €
	7,33 €	73,30 €
	5,80 €	580,00 €
	5,49 €	2 745,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	5,49 €	4 392,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	46 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	74 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	170 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	NTBG060N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NTBG060N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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