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CGHV59070F

Name: MACOM CGHV59070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59070F
Price: 690.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGHV59070F

N° de fab. :

CGHV59070F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt

Fiche technique:

CGHV59070F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440224
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	6.3 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	MACOM
Gain:	14 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	5.9 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	4.4 GHz
Alimentation en sortie:	76 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V
Poids de l''unité:	7,797 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT

MACOM CGHV59070 RF Power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides a general-purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. Operating from a 50V rail, the module delivers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This 70W internally matched GaN HEMT is ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT is offered in a 440224 package.