TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Fiche technique
305En stock
700Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo FET GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo FET GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W