HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement

IXYS MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds
Fiche technique
60029/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 107 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
Fiche technique
30024/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
Fiche technique
30003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
Fiche technique
29825/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Fiche technique
25813/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Fiche technique
30015/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
Fiche technique
30012/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Fiche technique
65022/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 360Amps 55V
Fiche technique
690Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Fiche technique
30001/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Fiche technique
8003/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id14 BVdass800
Fiche technique
24010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
Fiche technique
8903/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 22A
Fiche technique
30010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 500V 14A N-CH POLAR3
Fiche technique
2810/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 360Amps 55V
Fiche technique
19619/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 40V
Fiche technique
30020/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 300 Amps 40V
Fiche technique
30027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Fiche technique
350Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
Fiche technique
2 940Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
Fiche technique
840Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds
Fiche technique
330Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230Amps 100V
Fiche technique
720Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 100 V 230 A 4.7 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Fiche technique
420Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
Fiche technique
810Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube