HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET 600V 7A
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 7 A 1.15 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 170 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 258 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 44 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 210 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 1.5 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 279 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 40 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChHiPerFET-Q3 Class TO-264(3)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 40 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 900 V 52 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 308 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 62 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 270 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 70 A 89 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 1.785 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 82 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 82 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 275 nC 1.56 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 41 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 102 Amps 0V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 150V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 0V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 175 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-247
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id12 BVdass800
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 29 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube