HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement

IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds Délai de livraison produit non stocké 65 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 9 A 1.04 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds Délai de livraison produit non stocké 49 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds Délai de livraison produit non stocké 65 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 30A Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V Délai de livraison produit non stocké 35 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A Délai de livraison produit non stocké 36 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 20A Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 24A Délai de livraison produit non stocké 35 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds Délai de livraison produit non stocké 44 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 34 A 154 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 310 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A Délai de livraison produit non stocké 44 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 25 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id26 BVdass800 Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 25 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube