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IGC033S10S1XTMA1

Name: Infineon IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S10S1XTMA1
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IGC033S10S1XTMA1

N° de fab. :

IGC033S10S1XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN MV GAN DISCRETES

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IGC033S10S1XTMA1 Fiche technique (PDF)

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	3,65 €	3,65 €
	2,49 €	24,90 €
	1,97 €	197,00 €
	1,67 €	835,00 €
	1,60 €	1 600,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TSON-6
Polarité du transistor:	HEMT
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	76 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.9 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	45 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolGaN
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Tranistors
Type de produit:	GaN FETs
Série:	100V G3
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 P-Channel
Type:	CoolGaN Transistor
Raccourcis pour l'article N°:	IGC033S10S1 SP005751571

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors CoolGaN™ G3

Les transistors CoolGaN™ G3 d'Infineon Technologies sont conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance. Ces transistors possèdent une résistance à l'état passant très faible, permettant une conversion d'énergie efficace et des pertes d'énergie réduites. Disponibles en quatre options de tension (60 V, 80 V, 100 V ou 120 V), les transistors CoolGaN G3 d'Infineon offrent une commutation ultra-rapide avec une charge grille/sortie ultra-faible. Les transistors sont logés dans des boîtiers compacts PQFN, qui améliorent la gestion thermique et prennent en charge le refroidissement double face, garantissant une exploitation fiable même dans des conditions exigeantes. Ces caractéristiques font des transistors CoolGaN G3 un choix de premier ordre pour des applications telles que les alimentations électriques des centres de données et les systèmes d'alimentation électrique industriels.

Transistors CoolGaN™ G3 100 V

Les transistors CoolGaN™ 100 V G3 d’Infineon Technologies sont des transistors de puissance en mode amélioré (e-mode) normalement désactivés, dans un boîtier compact. Ces transistors disposent d'une faible résistance à l'état passant, ce qui fait des dispositifs un choix idéal pour des performances fiables dans les applications exigeantes à courant élevé et à haute tension. Les transistors CoolGaN sont conçus pour améliorer la gestion thermique. Les applications typiques incluent des solutions d'amplificateur audio, du photovoltaïque, des infrastructures de télécommunications, l'e-mobilité, la robotique et les drones.