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NVH4L018N075SC1

Name: onsemi NVH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L018N075SC1
Price: 23.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVH4L018N075SC1

N° de fab. :

NVH4L018N075SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

Fiche technique:

NVH4L018N075SC1 Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Package/Boîte:	TO-247-4
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	NVH4L018N075SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC

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Fiche technique

NVH4L018N075SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.