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IGT60R190D1S

N° Mouser :

Non assigné

N° de fab. :

IGT60R190D1S

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN GAN HV

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IGT60R190D1S Fiche technique (PDF)

Disponibilité

Stock:: Indisponible

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
Marque:	Infineon Technologies
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN

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Fiche technique

IGT60R190D1S Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification (PDF)

Errata

Life time weakness in soft switching for CoolGaN™ products (400V & 600V) (PDF)

Product Catalogs

Selection Guide (PDF)

PRODUITS PRÉSENTÉS

INFINEON

Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V

Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.

Transistors CoolGaN™ G3

conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance.

Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Présente une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie.

Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

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Transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V

Conçus avec une faible R_th(j-c) pour des applications haute puissance et une commutation de puissance très efficace.