Filtres appliqués:
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12/04/2025
12/04/2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
onsemi MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01
08/08/2025
08/08/2025
Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1
05/22/2025
05/22/2025
Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL032N065M3S
02/20/2025
02/20/2025
Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1
02/20/2025
02/20/2025
Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.
onsemi MOSFET SiC à canal N NTH4L018N075SC1
08/14/2024
08/14/2024
MOSFET EliteSiC M2 de 750 V à faible résistance à l’état passant, disponible en boîtier TO247-4L compact.
onsemi MOSFET NTBG023N065M3S EliteSiC 23 mΩ
08/14/2024
08/14/2024
Offre une technologie planaire M3S pour les applications à commutation rapide dans un boîtier D2PAK-7L.
onsemi MOSFET SiC NTH4L023N065M3S
08/06/2024
08/06/2024
Offre une tension nominale de blocage de 650 V, une capacité de sortie de 153 pF et un boîtier TO-247-4L.
onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V
05/29/2024
05/29/2024
Technologie qui offre des performances de commutation et une fiabilité supérieures par rapport au silicium.
onsemi Pompes à chaleur
03/01/2024
03/01/2024
La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.
onsemi MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1
02/28/2024
02/28/2024
MOSFET monocanal N 650 V, 60 mΩ (std) et 47 A doté d'une conception compacte et efficace.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL015N065SC1
02/28/2024
02/28/2024
Offrent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide et une densité de puissance accrue.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL025N065SC1
02/23/2024
02/23/2024
MOSFET 25 mΩ, 650 V EliteSiC qui offrent des performances de commutation supérieures.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL045N065SC1
02/21/2024
02/21/2024
Dispose de la technologie EliteSiC et offre des performances de commutation supérieures.
onsemi MOSFET SiC Automobile EliteSiC NVHL070N120M3S
01/30/2024
01/30/2024
MOSFET SiC planaire M3S 1200 V optimisé pour les applications à commutation rapide.
onsemi FETs en carbure de silicium (SiC) UF4SC120023B7S G4
01/09/2024
01/09/2024
FET SiC G4 1 200 V 23 mΩ basé sur une configuration de circuit unique de type « cascode » .
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL075N065SC1
11/13/2023
11/13/2023
Dispositifs haute performance dotés de caractéristiques exceptionnelles.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L095N065SC1
11/13/2023
11/13/2023
Disposent d’une technologie de pointe pour de meilleures performances de commutation et une meilleure fiabilité.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG070N120M3S
09/19/2023
09/19/2023
MOSFET EliteSiC planaire M3S de 1 200 V conçu pour des applications à commutation rapide
onsemi Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC
05/09/2023
05/09/2023
Gamme complète de pilotes de grille et de MOSFET Elite qui, lorsqu’ils sont associés, améliorent les performances thermiques.
onsemi EliteSiC
03/15/2023
03/15/2023
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG025N065SC1
03/10/2023
03/10/2023
Fournissent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL075N065SC1
03/10/2023
03/10/2023
Offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium.
onsemi MOSFET EliteSiC 1 700 V NTH4L028N170M1
02/06/2023
02/06/2023
Fournit des performances fiables et un haut rendement pour les applications énergétiques et d'entraînement industriel.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L015N065SC1
01/11/2023
01/11/2023
Fournissent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple.
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Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12/19/2025
12/19/2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12/04/2025
12/04/2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V
11/20/2025
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10/17/2025
10/17/2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
Infineon Technologies MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™
10/09/2025
10/09/2025
Offre des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée.
Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 V
09/25/2025
09/25/2025
Les MOSFET offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte avec des retards de commutation faibles.
IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx
09/19/2025
09/19/2025
Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].
IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K
08/27/2025
08/27/2025
Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08/21/2025
08/21/2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
onsemi MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01
08/08/2025
08/08/2025
Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA
07/14/2025
07/14/2025
Offre 1 200 V VDS, une faible résistance à l'état passant, une vitesse élevée de commutation et un temps de récupération rapide.
Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
06/23/2025
06/23/2025
Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.
Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™
06/03/2025
06/03/2025
MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1
05/22/2025
05/22/2025
Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V
04/17/2025
04/17/2025
Offrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération.
IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7
03/06/2025
03/06/2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
03/06/2025
03/06/2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1
02/20/2025
02/20/2025
Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL032N065M3S
02/20/2025
02/20/2025
Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV
02/18/2025
02/18/2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV
02/18/2025
02/18/2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02/18/2025
02/18/2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
01/02/2025
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09/06/2024
09/06/2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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