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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
Fiche technique
618En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Fiche technique
396En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24
Fiche technique
758En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
Fiche technique
665En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Fiche technique
727En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
Fiche technique
513En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO26
Fiche technique
649En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
Fiche technique
769En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET UF4C120053B7S
Fiche technique
200En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET UF4C120070B7S
Fiche technique
200En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO24
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET