Les plus récent(e)s Semi-conducteurs

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Types de Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04/10/2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03/17/2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11/24/2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11/03/2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10/17/2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09/26/2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08/27/2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08/27/2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08/21/2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08/21/2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08/21/2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08/21/2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08/20/2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08/19/2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08/19/2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08/19/2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

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Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

NXP Semiconductors PF0300 Power Management Integrated Circuit (PMIC)

06/25/2026

- This device integrates multiple high-performance buck regulators and an LDO regulator.

onsemi Étage de puissance intelligent NCP303345

06/25/2026

- Intègre un pilote avec mesure de courant, un MOSFET côté haut et un MOSFET côté bas dans un seul composant.

onsemi Commutateurs analogiques SPDT haute vitesse NL5S4599/NL5ST4599

06/25/2026

- Pour obtenir des délais de propagation ultra-courts et une faible résistance à l'état passant tout en maintenant une faible dissipation de puissance.

onsemi Kit d'évaluation NCV76124EVK

06/25/2026

- Ce kit d'évaluation prend en charge la puce d'interface pluie et lumière NCV76124.

Microchip Technology PIC16F13256/76 28/40-Pin Microcontrollers

06/25/2026

- Integrates low-power operation, configurable logic, and rugged security features.

onsemi Fusible électronique côté haut NCV84003G

06/25/2026

- Ce dispositif peut remplacer les fusibles mécaniques et fournir de l'énergie dans une architecture de distribution électrique intelligente.

NXP Semiconductors PF51x3 Multi-Channel PMICs

06/25/2026

- These devices are a great companion and fit for various system-level power requirements.

Infineon Technologies Conception de référence REF_WATERPUMP_SIP

06/24/2026

- Conception de référence de pompe à eau BLDC de 150 W avec solution MOTIX™ à microcontrôleur en boîtier SiP intégrée.

Infineon Technologies Conception de référence REF_MINI_CMFRT_SIP

06/24/2026

- Conception de référence compacte pour la commande de moteurs BLDC automobiles avec système à microcontrôleur en boîtier SiP MOTIX™ intégré.

Vishay Kits de résistance DTO / D2TO

06/24/2026

- Inclut une sélection de valeurs de résistance couvrant une plage représentative (de 0,01 Ω à 550 kΩ).

Lattice Semiconductor Carte SoM (système sur module) CertusPro-NX

06/24/2026

- Plateforme de vision embarquée et d'IA sur FPGA, compatible avec les interfaces MIPI, PCIe et le Raspberry Pi CM5.

Quectel LS550G (00) GNSS Modules

06/23/2026

- Supports concurrent reception of GPS, GLONASS, Galileo, BDS, and QZSS constellations.

Toshiba Isolateurs numériques quadruples de canaux à faible puissance

06/23/2026

- Isolateurs numériques quadruples de faible puissance à emballage SSOP16 compact pour systèmes industriels.

e-peas EVK15820 Evaluation Kit

06/22/2026

- Integrates all necessary components to operate the AEM15820 IC in a 40‑pin QFN package.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

Swissbit S-56 & S-56u Memory Cards

06/22/2026

- Offer 4 GBytes, 8 GBytes, 16 GBytes, 32 GBytes, 64 GBytes, and 128GBytes capacities.

STMicroelectronics Tableau de démonstration EVL4983-350W

06/19/2026

- Tableau de démonstration basé sur le contrôleur de facteur de puissance en mode de conduction continu L4983.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06/19/2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Analog Devices Inc. Solution d’analyseur d’impédance 1,5 MHz AD-IMP2501-SL

06/19/2026

- Un système de démonstration et d'évaluation technologique d'analyseur d'impédance composé de deux cartes.

Mikroe SMA RAK11720 Click

06/19/2026

- Dual wireless connectivity for long-range LoRaWAN and short-range BLE IoT designs.

Analog Devices Inc. Carte d'évaluation EVAL-ADuM7811

06/19/2026

- Une plateforme complète pour évaluer le CAN ADuM7811 avec un flux binaire modulé sigma-delta.

Analog Devices Inc. Carte d'évaluation EV-ADuM7801-8FMCZ

06/19/2026

- Une plateforme complète pour évaluer le CAN ADuM7801 avec une sortie de flux binaire modulé Σ-Δ.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Analog Devices Inc. Conditionneur de signal LVDT universel AD698

06/17/2026

- Interface LVDT sur puce unique à architecture ratiométrique et sans aucun réglage.

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