.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Texas Instruments Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = Texas Instruments Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Texas Instruments Diodes TVS unidirectionnelles TSDx-Q1

10/10/2025

- Conçues pour les applications automobiles afin de limiter les transitoires nuisibles tels que les DES et les surtensions.

Texas Instruments Diodes Zener à anode commune MMBZxxVAL-Q1

08/21/2025

- DES unidirectionnelles à double canal ou bidirectionnelles à canal unique dans une configuration d'anode commune.

Texas Instruments Diode de protection DES MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1

03/18/2025

- DES bidirectionnel à double canal ou unidirectionnel à canal unique dans une configuration de cathode commune.

Texas Instruments Diode DES à faible capacité ESD501/ESD501-Q1

03/18/2025

- Proposée dans un boîtier conforme à la norme industrielle 0402 et offre un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes régulatrices de Tension Zener BZX84Cx/BZX84Cx-Q1

03/11/2025

- Ces dispositifs offrent une dissipation d'énergie totale de 250 mW (max.) et une tolérance de ±5 %.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD801/ESD801-Q1

01/29/2025

- Disponibles dans le boîtier standard de l'industrie 0402 et offrent un niveau de protection IEC 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD701/ESD701-Q1

01/29/2025

- Proposées dans le boîtier 0402 standard de l'industrie et offrent un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes TVS bidirectionnelles TSDxxC/TSDxxC-Q1

12/23/2024

- Ces dispositifs sont conçus pour les clamp >>> serre-câbles (if appropriate) transitoires nuisibles tels que DES et surtension.

Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 Diodes de protection DES

11/05/2024

- Disponibles dans un boîtier standard de l'industrie 0402 et offrent un niveau de protection IEC 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD851/ESD851-Q1

11/05/2024

- Ce dispositif est conçu pour fixer les transitoires nuisibles tels que les DES et la surtension.

Texas Instruments Diode de protection TVS bidirectionnelle 36 V TSM36CA

09/17/2024

- Le dispositif est conçu pour bloquer les transitoires nuisibles tels que les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions.

Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1 Diodes bidirectionnelles ESD et TVS

06/17/2024

- Conçues pour dissiper les décharges électrostatiques au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme IEC 61000-4-2

Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 diodes de protection ESD

05/07/2024

- Diodes bidirectionnelles à 2 canaux disponibles dans un petit boîtier plombé SOT-23 (DBZ).

Texas Instruments ESD2CANx-Q1 Diodes de protection ESD

05/06/2024

- Diodes bidirectionnelles à 2 canaux pour l'automobile, pour la protection de l'interface du réseau CAN (Controller Area Network).

Texas Instruments Diode de protection bidirectionnelle contre les décharges électrostatiques et les surtensions ESDS552

04/23/2024

- Conçue pour dissiper les décharges électrostatiques au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme IEC 61000-4-2.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD562/ESD562-Q1

04/23/2024

- Conçue pour dissiper les décharges DES au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme CEI 61000-4-2.

Texas Instruments Diode de protection unidirectionnelle contre les surtensions TSM24B

12/19/2023

- Ce composant permet de dériver jusqu’à 20 A de courant de défaut CEI 61000-4-5.

Texas Instruments Diode TVS unidirectionnelle TSM24A/TSM24A-Q124 V

11/13/2023

- Jusqu’à 60 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour assurer une protection contre les tensions transitoires ou les décharges de foudre à haute puissance.

Texas Instruments Diode TSM24CA/TSM24CA-Q1 TVS bidirectionnelle 24 V

11/13/2023

- Jusqu’à 30 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour assurer une protection contre la foudre ou les transitoires à haute puissance.

Texas Instruments Dispositifs de protection contre les surtensions TSD05/TSD05C/TSD36C

09/19/2023

- Ces dispositifs sont conçus pour bloquer les transitoires nuisibles tels que les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions.

Texas Instruments Diode de protection DES ±30 kV ESD451

08/10/2023

- Une diode de protection DES bidirectionnelle pour protéger les lignes de données et d'autres ports E/S.

Texas Instruments Dispositif de protection DES ±30 kV ESD441

08/10/2023

- Une diode de protection DES unidirectionnelle pour protéger les lignes de données et d'autres ports E/S.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1

02/09/2023

- Dispositif de protection DES bidirectionnel monocanal à faible capacité pour le réseau d'interconnexion local (LIN).

Texas Instruments Réseau Darlington 8 canaux 50 V 500 mA ULN2803C

02/06/2023

- Dispose de sorties à haute tension avec diodes à limitation cathode commune pour les charges inductives de commutation.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD751/Q1 et ESD761/Q1

02/02/2023

- Dispositifs de protection DES bidirectionnels monocanal à faible capacité pour alimentation USB (USB-PD).

Consulter : 1 - 25 sur 30

Filtrer par :

Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02/10/2026

- Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.

Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02/06/2026

- 160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R

02/05/2026

- Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11/24/2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

Consulter : 1 - 25 sur 1215

Texas Instruments Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance