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SCT040TO65G3

Name: STMicroelectronics SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040TO65G3
Price: 8.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT040TO65G3

N° de fab. :

SCT040TO65G3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Fiche technique:

SCT040TO65G3 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TOLL-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	63 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	42.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	288 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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