STMicroelectronics IGBTs

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
2 258En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Fiche technique
140En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Fiche technique
478En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube