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SICW040N120H-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW040N120H-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW040N120H-BP
Price: 10.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

833-SICW040N120H-BP

N° de fab. :

SICW040N120H-BP

Fab. :

Micro Commercial Components (MCC)

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SICW040N120H-BP Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Micro Commercial Components (MCC)
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	62 A
Rds On - Résistance drain-source:	75 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Qg - Charge de grille:	229 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	326 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	15 S
Conditionnement:	Bulk
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	7 ns
Délai d'activation standard:	26 ns

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Fiche technique

SICW040N120H-BP Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SICW0x SiC à canal N 1 200 V

Les MOSFET à canal N SiC SICW0x de 1 200 V de Micro Commercial Components (MCC) amplifient les performances dans des boîtiers polyvalents TO-247-4, TO-247-4L et TO-247AB. Ces MOSFET disposent d’une vitesse de commutation élevée avec une faible charge de grille, une flexibilité de conception et une grande fiabilité. Les MOSFET SiC SICW0x 1200 V comprennent une large plage de résistance en marche standard de 21 mΩà 120 m Ω et des performances fiables. Ces MOSFET SiC offrent des propriétés thermiques supérieures et une diode intrinsèque rapide pour assurer un fonctionnement fluide et efficace dans des conditions difficiles. Les MOSFET SiC SICW0x sont disponibles en configurations à 3 et 4 broches (source Kelvin). Les applications standard incluent les entraînements de moteurs, les équipements de soudage, les alimentations, les systèmes d’énergie renouvelable, l’infrastructure de charge, les systèmes cloud et l’alimentation sans interruption (ASI).