GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
MACOM FET GaN Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
Fiche technique
50En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
Fiche technique
188En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT PDFN-12 1 Channel 84 V 1.4 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C 8 W
MACOM FET GaN Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
Fiche technique
80En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440109-2 1 Channel 84 V 750 mA - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
Fiche technique
50En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 4.6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Fiche technique
50En stock
Min. : 10
Mult. : 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Fiche technique
50En stock
Min. : 10
Mult. : 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
Fiche technique
8005/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 84 V 4.6 A - 10 V,+ 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Fiche technique
5013/03/2026 attendu
Min. : 10
Mult. : 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Fiche technique
5015/05/2026 attendu
Min. : 10
Mult. : 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 12 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 65 C
MACOM FET GaN Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Fiche technique
50En stock
Min. : 10
Mult. : 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Fiche technique
5010/04/2026 attendu
Min. : 10
Mult. : 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C