GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Fiche technique
54En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo FET GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Fiche technique
244En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET GaN DC-4GHz 45W GaN 48V
Fiche technique
66En stock
50004/06/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W