MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 750V G1

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 750 V G1 d’Infineon Technologies aident les fabricants de véhicules électriques à concevoir des chargeurs embarqués bidirectionnels de11 kW et 22 kW avec une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité accrues. Ces dispositifs fonctionnent de manière fiable à des températures élevées (Tj,max +175 °C), grâce à la technologie d’assemblage de puce propriétaire d’Infineon. La technologie d’assemblage de puce XT d’Infineon offre la meilleure impédance thermique de sa catégorie pour une taille de puce équivalente.

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Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel