KSC Transistors bipolaires - BJT

Résultats: 17
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Planar Silicon
Fiche technique
4 701En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 2 A 600 V 1.2 kV 12 V 190 mV 50 W + 150 C KSC5502 Tube
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil
Fiche technique
37 975En stock
32 00028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 50 mA 120 V 120 V 5 V 70 mV 500 mW 110 MHz + 150 C KSC1845 Ammo Pack

onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Fiche technique
9 006En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 600 V 1.2 kV 12 V 400 mV 87.83 W 11 MHz + 150 C KSC5502D Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Transistor
Fiche technique
12 357En stock
8 00015/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 160 V 160 V 6 V 1.5 V 900 mW 100 MHz + 150 C KSC2383 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil
Fiche technique
6 212En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 700 mA 60 V 80 V 8 V 200 mV 800 mW 50 MHz + 150 C KSC1008 Bulk
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Transistor
Fiche technique
5 376En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 150 mA 50 V 60 V 5 V 150 mV 250 mW 300 MHz + 150 C KSC945 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Fiche technique
1 711En stock
1 92028/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-126-3 NPN Single 1.2 A 160 V 160 V 5 V 400 mV 1.2 W 155 MHz + 150 C KSC2690A Tube
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Transistor
Fiche technique
7 649En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 150 mA 50 V 60 V 5 V 150 mV 250 mW 300 MHz + 150 C KSC945 Ammo Pack

onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Fiche technique
1 033En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 5 A 450 V 1 kV 12 V 350 mV 75 W 11 MHz + 150 C KSC5338D Bulk
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil
Fiche technique
9 801En stock
36 00003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 150 mA 50 V 60 V 5 V 100 mV 400 mW 80 MHz + 150 C KSC1815 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil
Fiche technique
4 953En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92L-3 NPN Single 1 A 160 V 160 V 6 V 1.5 V 900 mW 100 MHz + 150 C KSC2383 Ammo Pack

onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil
Fiche technique
2 160En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 7 A 100 V 150 V 7 V 600 mV 40 W + 150 C KSC2334 Tube
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Si Transistor
Fiche technique
1 725En stock
2 00028/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-126-3 NPN Single 1.5 A 800 V 1.1 kV 7 V 2 V 20 W 15 MHz + 150 C KSC5026M Bulk
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Transistor
Fiche technique
9 758En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 700 mA 60 V 80 V 8 V 200 mV 800 mW 50 MHz + 150 C KSC1008 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil
Fiche technique
2 530En stock
4 00002/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-126-3 NPN Single 1.2 A 160 V 160 V 5 V 400 mV 1.2 W 155 MHz + 150 C KSC2690A Bulk
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Transistor
Fiche technique
6 810En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 700 mA 60 V 80 V 8 V 200 mV 800 mW 50 MHz + 150 C KSC1008 Ammo Pack

onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Sil Planar Sil
Fiche technique
767En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 3 A 800 V 1.6 kV 12 V 1.2 V 100 W 5 MHz + 150 C KSC5603D Tube