SiC MOSFET

Les SiC MOSFET de Littelfuse sont optimisés pour les applications haute fréquence et haut rendement. Ces SiC MOSFET robustes sont disponibles en boîtier TO-247-3L et offrent une résistance très faible à l'état passant. Littelfuse offre des SiC MOSFET conçus, développés et fabriqués avec une charge de grille et une capacité de sortie extrêmement faibles, des performances et une robustesse exceptionnelles à toutes les températures et une résistance très faible à l'état passant. Disponibles dès maintenant de 1200 V, dans les versions 80, 120 et 160 mOhm.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Configuration If - Courant direct Vrrm - Tension inverse répétitive Vf - Tension directe Ifsm - Courant de surtension direct Ir - Courant inverse Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Qualification Conditionnement
Littelfuse Diodes Schottky SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY 713En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 20 A 650 V 1.8 V 95 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Littelfuse Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY 74En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount SOT-227B Dual Series 40 A 1.2 kV 1.8 V 145 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD Tube

Littelfuse Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 120A SM SCHOTTKY
9925/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount SOT-227B Dual Series 120 A 1.2 kV 1.8 V 440 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD Tube
Littelfuse Diodes Schottky SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101 Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 8 A 650 V 1.8 V 40 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD AEC-Q101