Modules IGBT

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
Fiche technique
156En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 70 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Mitsubishi Electric Modules IGBT Mini DIPIPM Version 7 6-PAC
Fiche technique

onsemi Modules IGBT PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)
Fiche technique
23En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules 1.2 kV 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray
onsemi Modules IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
Fiche technique
23En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Q0PACK Modules Module 1.2 kV 2.05 V 67 A 300 nA 158 W - 40 C + 150 C Tray


Mitsubishi Electric Modules IGBT Mini DIPIPM Version 7 6-PAC
Fiche technique

onsemi Modules IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
Fiche technique
23En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Quad 1.2 kV 2.1 V 67 A 300 nA 158 W 65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm - 40 C + 150 C Tray
Mitsubishi Electric Modules IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
Fiche technique

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 450 A 500 nA 2.5 kW - 40 C + 150 C
Mitsubishi Electric Modules IGBT IPM MODULE V1-SERIES
Fiche technique
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6En stock
Min. : 1
Mult. : 1

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Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
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3En stock
Min. : 1
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25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

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9En stock
Min. : 1
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