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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Fiche technique
764En stock
30018/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
Fiche technique
697En stock
60021/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel Depletion Mode FET
Fiche technique
3 885En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 1.1 W Depletion Clare Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET N-Channel Depletion Mode FET
Fiche technique
1 098En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 2.5 W Depletion Clare Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Fiche technique
2 088Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube