Tube MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Fiche technique
406En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Fiche technique
299En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Fiche technique
2 102En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Fiche technique
1 901En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
Fiche technique
7 438En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
Fiche technique
10 887En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFET DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
Fiche technique
273En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 50MOHM
Fiche technique
1 908En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 250V N-Ch MOSFET
Fiche technique
16 463En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Fiche technique
6 774En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Fiche technique
13 277En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube

onsemi MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Fiche technique
6 020En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
IXYS MOSFET 230A 200V
Fiche technique
931En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFET ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
Fiche technique
366En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
Fiche technique
37 706En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
Fiche technique
22 272En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Fiche technique
726En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SuperFET2 800V
Fiche technique
1 485En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Fiche technique
4 423En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Fiche technique
3 894En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TenchP Power MOSFET
Fiche technique
2 805En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET Standard Linear Power MOSFET
Fiche technique
2 981En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 100V 4A P-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
76 969En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 4 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 4th Gen, Fast Recover
Fiche technique
1 963En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Fiche technique
2 862En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube